BSS84P H6327的供应商，BSS84P H6327规格参数，BSS84P H6327的PDF资料

BSS84P H6327 /MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3

BSS84P H6327的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:170 mA

Rds On-漏源导通电阻:5.8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:1.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:BSS84

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:65 mS

下降时间:20.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16.2 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8.6 ns

典型接通延迟时间:6.7 ns

零件号别名:BSS84PH6327XT BSS84PH6327XTSA2 SP000929186

单位重量:8 mg

BSS84P H6327

BSS84P H6327的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市威雅利发展有限公司	BSS84P H6327	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
深圳市芯幂科技有限公司	BSS84P H6327	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市创科捷佳电子有限公司	BSS84P H6327	深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-1109	0755-82722720 13286466676	詹嘉捷	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BSS84P H6327	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	BSS84P H6327	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	BSS84P H6327	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	BSS84P H6327	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
集好芯城	BSS84P H6327	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	BSS84P H6327	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
集好芯城	BSS84P H6327	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	BSS84P H6327	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市赛美科科技有限公司	BSS84P H6327	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	BSS84P H6327	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	BSS84P H6327	华强北都会轩2601	0755-23903154 13430590551	杨晓芳	询价
深圳市骏凯诚科技有限公司	BSS84P H6327	深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室	0755-82731802 13652405995	朱小姐	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	BSS84P H6327	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司	BSS84P H6327	深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室	18927111567	黄	询价
深圳市凌特半导体科技有限公司	BSS84P H6327	广东省深圳市华康大夏2栋210-219室	0755-82714723 13923432237	谢先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	BSS84P H6327	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	BSS84P H6327	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价

BSS84P H6327及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
BSS84P H6327	MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3	Infineon Technologies		209.74 Kbytes	共8页		无
BSS84P H6327	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：170mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 20uA 漏源导通电阻：8Ω @ 170mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：P沟道	Infineon(英飞凌)		275.53 Kbytes	共8页		无

BSS84P H6327的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	BSS84P H6327	Infineon	FET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品半导体 MOSFET P-KANAL	1+:￥1.51 10+:￥0.98 100+:￥0.41 1000+:￥0.28 3000+:￥0.22 9000+:￥0.21 24000+:￥0.2 45000+:￥0.2 99000+:￥0.17995+:￥0.59 10+:￥0.5199 100+:￥0.46 250+:￥0.41 500+:￥0.36 1000+:￥0.3101 3000+:￥0.27 9000+:￥0.26 15000+:￥0.2450+:￥
ChipOneStop	BSS84P H6327	Infineon	FET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品半导体 MOSFET P-KANAL	1+:￥1.51 10+:￥0.98 100+:￥0.41 1000+:￥0.28 3000+:￥0.22 9000+:￥0.21 24000+:￥0.2 45000+:￥0.2 99000+:￥0.17995+:￥0.59 10+:￥0.5199 100+:￥0.46 250+:￥0.41 500+:￥0.36 1000+:￥0.3101 3000+:￥0.27 9000+:￥0.26 15000+:￥0.2450+:￥0.25
element14 e络盟电子	BSS84P H6327	Infineon	FET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品半导体 MOSFET P-KANAL	1+:￥1.51 10+:￥0.98 100+:￥0.41 1000+:￥0.28 3000+:￥0.22 9000+:￥0.21 24000+:￥0.2 45000+:￥0.2 99000+:￥0.17995+:￥0.59 10+:￥0.5199 100+:￥0.46 250+:￥0.41 500+:￥0.36 1000+:￥0.3101 3000+:￥0.27 9000+:￥0.26 15000+:￥0.24
Mouser 贸泽电子	BSS84P H6327	Infineon	FET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品半导体 MOSFET P-KANAL	1+:￥1.51 10+:￥0.98 100+:￥0.41 1000+:￥0.28 3000+:￥0.22 9000+:￥0.21 24000+:￥0.2 45000+:￥0.2 99000+:￥0.1799
Mouser 贸泽电子	BSS84P H6327	Infineon Technologies	MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3	1:¥2.5312 10:¥1.7289 100:¥0.72207 1,000:¥0.49155 3,000:¥0.3842
立创商城	BSS84P H6327	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：170mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 20uA 漏源导通电阻：8Ω @ 170mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：P沟道	1+:￥0.483786 200+:￥0.187219 500+:￥0.18064 1000+:￥0.177389

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